НОВОСТИ

	

Характеризация и контроль качества MBE процессов

05.02.2018

Компания Hiden Analytical представляет семейство диагностических приборов на основе квадрупольного масс-спектрометра для специализированных приложений молекулярно-пучковой эпитаксии и последующего тонкопленочного анализа.

Молекулярно-пучковая эпитаксия (MBE) осуществляется в условиях высокого или сверхвысокого вакуума. Наиболее важным аспектом MBE является скорость осаждения менее 50 нм/мин), которая позволяет пленкам расти эпитаксиально, таким образом что выращенный на поверхности кристалла тонкий слой имеет такую же структуру, что и основной кристалл.

Отсутствие газов-носителей, а также условия сверхвысокого вакуума в MBE технологии обеспечивают наивысшую достижимую чистоту выращиваемых пленок.

В данную линейку оборудования входит анализатор остаточных газов HALO 201 MBE , монитор скорости осаждения молекулярных пучков XBS с аксептансом ионного пучка через 70 ̊ угол раствора, и модульный инструмент анализа поверхности SIMS с интегрированной остро сфокусированной ионной пушкой для анализа поверхностного слоя в ходе процесса. Кроме того предлагается система AutoSIMS в качестве средства, обеспечивающего последующее исследование состава поверхностного слоя и его изменение в профиле распределения по глубине (как правило до микрона). Система имеет сменный держатель кассетного типа на несколько образцов с автоматизированным столиком для позиционирования по осям X-Y, обеспечивающим полностью автоматическую работу. Остро сфокусированная ионная пушка совместима как с кислородом, так и аргоном.

Системы для характеризации и контроля качества MBE процессов