Оборудование полупроводниковой промышленности

Плазменно-стимулированное осаждение

Oxford Instruments Plasma Technology предлагает различные варианты гибких и надежных технологий плазменного осаждения. Технологии PECVD и CVD-ICP реализуются в установках серии Plasmalab System различных модификаций.

ПХО (PECVD)
Плазмохимическоe осаждение из газовой фазы (PECVD) используется в большинстве стандартных приложений микроэлектроники, микромеханики и нанотехнологий. Типичная температура осаждения лежит в районе 300 °С.

ИСП ПХО (CVD-ICP)
Осаждение с источником индуктивно связанной плазмы позволяет существенно понизить температуру процесса по сравнению с PECVD технологией. Позволяет получать слои высококачественных диэлектриков при комнатной температуре подложки (~ 20°C).

Технологии плазмохимического осаждения реализуются в установках серии PlasmaPro System различных модификаций.

Дополнительная информация по системам доступна на сайте www.plasmasystem.ru


Пересчитать
x