Оборудование полупроводниковой промышленности

Ионно-пучковое травление и осаждение

Ионно-лучевые технологии являются наиболее прецизионным и качественным вариантом реализации процессов травления и осаждения. Данные технологии находят применение в широком спектре приложений микроэлектроники, оптики, нанотехнологии и биомеханики.

Системы серии Ionfab Oxford Instruments Plasma Technology представляют собой гибкую платформу для реализации ионно-лучевых технологий травления и осаждения. В различных конфигурациях систем могут быть реализованы технологии Ионно-лучевого травления (Ion Beam Etching IBE), реактивного ионно-лучевое травления (Reactive Ion Beam Etching (RIBE), химически ассистированного ионно-лучевого травления (Chemically Assisted Ion Beam Etching CAIBE), осаждения материала с распылением мишени ионным пучком (Ion Beam Sputtering IBS), прямого осаждения материала ионным пучком (Direct Ion Beam Deposition DIBD).

Во всех системах серии Ionfab применяются плазменные ВЧ источники с нейтрализатором пучка. В зависимости от приложения могут использоваться источники диаметром 15 или 35 см и различные варианты формирующих сеток для получения оптимального пространственного распределения тока пучка.


Пересчитать
x